半導体局所加工エッチング装置

Others

半導体局所加工エッチング装置

三友製作所(さんゆうせいさくじょ)は国の支援を得て、半導体デバイスの絶縁膜を一層ずつ除去することができる半導体局所加工エッチング装置を開発しました。この技術により配線を上の層から順番に露出させていくことが可能になりました。

半導体の開発の能力の向上には、試作品の故障解析が必要となります。ところが故障解析の試料の作成には、2日以上の時間と1億円以上の高額な装置を使う必要がありました。今回開発されたプラズマ装置を使いますと、その製造コストが半分以下に、試料作成の時間が1時間以下になりますので、これから競争が激化する半導体製品の開発に際して競争力向上に寄与するものと考えております。

三友製作所(さんゆうせいさくじょ)が独自に開発した技術は2つあります。吸引プラズマと呼ばれる技術はプラズマを局所的に発生させる技術で、発生させたプラズマを細い管の中へ吸引し、そうすることでプラズマを発生させたときに生じるごみを取り除いたり、あるいはプラズマを噴射させる場合に生じる試料への熱によるダメージを低減させます。これにより非常にクリーンで、しかも配線へのダメージの少ない半導体故障解析用試料を作成することが可能になりました。

2つ目の技術は吸引プラズマを発生させるために必要な位置決め技術です。吸引プラズマは、プラズマを試料のごく近傍にのみ発生させる技術です。そのプラズマを維持するためには、プラズマと試料との距離を精密に制御する必要があります。そのために今回はSPPAと呼ばれる高い空間分解能と長いストローク、移動距離をもったアクチュエーターを開発しました。

三友製作所(さんゆうせいさくじょ)はまず国内半導体メーカーの検査部門で使ってもらうことを考えています。さらに検査会社や分析センターなどへもアプローチしていき、将来的には韓国や台湾での販売も検討しています。

この記事内容を問い合わせる

コメント
blog comments powered by Disqus
関連記事

LOADING...

LATEST

  1. 08
  2. 08
  3. 08
  4. 08
  5. 08

MOST POPULAR

  • 今日
  • 今週
  • 今月
  • 全期間